Übersetzung für "Parasitic current" in Deutsch
																						In
																											addition,
																											a
																											relatively
																											high
																											parasitic
																											read
																											current
																											is
																											permissible
																											for
																											the
																											non-selected
																											storage
																											cells.
																		
			
				
																						Außerdem
																											ist
																											ein
																											relativ
																											großer
																											parasitärer
																											Lesestrom
																											der
																											nicht
																											selektierten
																											Speicherzellen
																											zulässig.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											parasitic-current
																											indicator
																											of
																											the
																											invention
																											can
																											be
																											manufactured
																											easily
																											and
																											at
																											low
																											cost.
																		
			
				
																						Der
																											Störstromindikator
																											nach
																											der
																											Erfindung
																											lässt
																											sich
																											einfach
																											und
																											kostengünstig
																											herstellen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											allows
																											parasitic
																											flows
																											of
																											current
																											to
																											be
																											reduced.
																		
			
				
																						Dadurch
																											lassen
																											sich
																											parasitäre
																											Stromflüsse
																											verringern.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Such
																											complementarily
																											directed
																											current
																											sources
																											reduce
																											parasitic
																											flows
																											of
																											current
																											to
																											a
																											considerable
																											extent.
																		
			
				
																						Solche
																											gegenpolig
																											gerichtete
																											Stromquellen
																											vermindern
																											parasitäre
																											Stromflüsse
																											in
																											erheblichem
																											Maße.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											such
																											discrepancies
																											are
																											acceptable
																											so
																											long
																											as
																											a
																											certain
																											degree
																											of
																											compensation
																											for
																											parasitic
																											current
																											losses
																											is
																											achieved.
																		
			
				
																						Solche
																											Abweichungen
																											sind
																											aber
																											akzeptabel,
																											solange
																											eine
																											gewisse
																											Kompensation
																											parasitärer
																											Stromverluste
																											erreicht
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											parasitic
																											current
																											can
																											thus
																											be
																											simply
																											and
																											reliably
																											kept
																											below
																											the
																											permissible
																											limit
																											value.
																		
			
				
																						Der
																											parasitäre
																											Strom
																											kann
																											so
																											einfach
																											und
																											zuverlässig
																											unter
																											dem
																											zulässigen
																											Grenzwert
																											gehalten
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											configuration
																											of
																											these
																											parasitic
																											current
																											paths
																											is
																											additionally
																											dependent
																											on
																											the
																											bit
																											pattern
																											stored
																											in
																											the
																											memory
																											matrix.
																		
			
				
																						Die
																											Konfiguration
																											dieser
																											parasitären
																											Strompfade
																											ist
																											zudem
																											vom
																											in
																											der
																											Speichermatrix
																											gespeicherten
																											Bitmuster
																											abhängig.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Given
																											constant
																											emitter
																											current
																											of
																											the
																											lateral
																											transistor,
																											accordingly,
																											the
																											hole
																											current
																											in
																											the
																											base
																											of
																											the
																											lateral
																											transistor
																											and,
																											accordingly,
																											the
																											parasitic
																											substrate
																											current
																											are
																											reduced.
																		
			
				
																						Bei
																											konstantem
																											Emitterstrom
																											des
																											Lateraltransistors
																											ist
																											demgemäß
																											der
																											Löcher
																											strom
																											in
																											der
																											Basis
																											des
																											Lateraltransistors
																											und
																											demzufolge
																											auch
																											der
																											parasitäre
																											Substratstrom
																											verringert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											type
																											circuit
																											is
																											used
																											when
																											parasitic-current
																											indicator
																											K
																											is
																											to
																											have
																											high
																											sensitivity.
																		
			
				
																						Dies
																											ist
																											dann
																											angezeigt,
																											wenn
																											der
																											Störstromindikator
																											K
																											eine
																											hohe
																											Empfindlichkeit
																											aufweisen
																											soll,
																											und
																											wenn
																											besonders
																											kleine
																											Warnpegel
																											erfasst
																											werden
																											sollen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											thin
																											layer
																											thickness
																											of
																											0.04
																											?m
																											is
																											particular
																											has
																											an
																											advantageous
																											effect
																											on
																											the
																											parasitic
																											current
																											flow
																											between
																											emitter-base
																											electrodes
																											5
																											or
																											base-equipotential
																											area
																											electrodes
																											5,
																											9.
																		
			
				
																						Vorteilhaft
																											wirkt
																											sich
																											die
																											geringe
																											Schichtdicke
																											von
																											insbesondere
																											0,04
																											µm
																											auf
																											den
																											parasitären
																											Stromfluß
																											zwischen
																											Emitter-Basis-Elektroden
																											5
																											bzw.
																											Basis-Äquipotentialflächen-Elektroden
																											5,
																											9
																											aus.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											horseshoe-shaped
																											region
																											likewise
																											contributes
																											to
																											the
																											fact
																											that
																											the
																											charge
																											carriers
																											injected
																											into
																											the
																											gatecathode
																											circuit
																											cannot
																											follow
																											a
																											parasitic
																											current
																											path
																											between
																											the
																											gate
																											region
																											and
																											the
																											anode
																											region
																											of
																											the
																											other
																											thyristor
																											structure
																											of
																											the
																											same
																											main
																											surface.
																		
			
				
																						Die
																											hufeisenförmige
																											Region
																											trägt
																											ebenfalls
																											dazu
																											bei,
																											dass
																											die
																											in
																											den
																											Gate-Kathodenkreis
																											eingestossenen
																											Ladungsträger
																											keinem
																											parasitären
																											Strompfad
																											zwischen
																											der
																											Gateregion
																											und
																											der
																											Anodenregion
																											der
																											anderen
																											Thyristorstruktur
																											derselben
																											Hauptfläche
																											folgen
																											können.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											parasitic
																											current
																											from
																											the
																											anode
																											(A)
																											is
																											prevented
																											by
																											the
																											n+
																											-type
																											emitter
																											layer
																											(2).
																		
			
				
																						Ein
																											parasitärer
																											Strom
																											von
																											der
																											Anode
																											(A)
																											wird
																											durch
																											die
																											n
																											+
																											-Emitterschicht
																											(2)
																											verhindert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											there
																											is
																											a
																											technologically
																											necessary
																											parasitic
																											diode
																											that
																											allows
																											a
																											parasitic
																											or
																											stray
																											current
																											to
																											flow,
																											which
																											is
																											why
																											the
																											polarity
																											must
																											be
																											taken
																											into
																											account
																											in
																											the
																											interconnection
																											configuration.
																		
			
				
																						Allerdings
																											existiert
																											technologisch
																											bedingt
																											eine
																											parasitäre
																											Diode,
																											die
																											einen
																											parasitären
																											Stromfluß
																											erlaubt,
																											weshalb
																											bei
																											der
																											Verschaltung
																											auf
																											die
																											Polung
																											geachtet
																											werden
																											muß.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											during
																											that
																											programming,
																											a
																											problem
																											arises
																											which
																											can
																											be
																											attributed
																											to
																											the
																											parasitic
																											current
																											loss
																											through
																											the
																											network
																											formed
																											from
																											the
																											resistors
																											Rij.
																		
			
				
																						Bei
																											diesem
																											Programmieren
																											tritt
																											jedoch
																											ein
																											Problem
																											auf,
																											das
																											auf
																											den
																											parasitären
																											Stromverlust
																											durch
																											das
																											aus
																											den
																											Widerständen
																											Rij
																											gebildete
																											Netz
																											zurückzuführen
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											connection
																											of
																											gate
																											electrode
																											15d
																											with
																											the
																											emitter
																											terminal,
																											furthermore,
																											ensures
																											that
																											a
																											parasitic
																											current
																											is
																											prevented
																											between
																											the
																											emitter
																											region
																											and
																											the
																											collector
																											region
																											on
																											account
																											of
																											a
																											conductive
																											field-effect
																											transistor.
																		
			
				
																						Durch
																											die
																											Verbindung
																											der
																											Gateelektrode
																											15d
																											mit
																											dem
																											Emitteranschluß
																											ist
																											außerdem
																											sichergestellt,
																											daß
																											ein
																											parasitärer
																											Strom
																											zwischen
																											der
																											Emitterzone
																											und
																											der
																											Kollektorzone
																											aufgrund
																											eines
																											leitenden
																											Feldeffekttransistors
																											verhindert
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Thereby,
																											an
																											undesired
																											or
																											parasitic
																											current
																											flow
																											in
																											areas
																											outside
																											the
																											intermediate
																											space
																											between
																											the
																											jaw
																											members
																											can
																											be
																											reduced
																											or
																											stopped.
																		
			
				
																						Dadurch
																											kann
																											ein
																											unerwünschter
																											bzw.
																											parasitärer
																											Stromfluss
																											in
																											Bereichen
																											außerhalb
																											des
																											Zwischenraums
																											zwischen
																											den
																											Maulteilen
																											reduziert
																											oder
																											unterbunden
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											principle
																											on
																											which
																											the
																											invention
																											is
																											based
																											is
																											thus
																											to
																											reduce
																											the
																											interference
																											by
																											short-circuiting
																											parasitic
																											interference
																											current
																											paths
																											within
																											the
																											power
																											semiconductor
																											array.
																		
			
				
																						Das
																											der
																											Erfindung
																											zugrundeliegende
																											Prinzip
																											ist
																											es
																											also,
																											die
																											Störungen
																											zu
																											verringern,
																											indem
																											parasitäre
																											Störstrompfade
																											innerhalb
																											der
																											Leistungshalbleiter-Anordnung
																											kurzgeschlossen
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						It
																											is
																											of
																											course
																											also
																											possible
																											for
																											the
																											connection
																											of
																											the
																											voltmeter
																											20
																											to
																											the
																											voltage
																											regulator
																											19
																											to
																											be
																											electrically
																											isolated,
																											e.g.
																											by
																											optical
																											data
																											transmission,
																											wherein
																											a
																											parasitic
																											current
																											through
																											the
																											ionization
																											amplifier
																											no
																											longer
																											occurs.
																		
			
				
																						Natürlich
																											ist
																											es
																											auch
																											möglich,
																											die
																											Anknüpfung
																											des
																											Spannungsmessers
																											20
																											zum
																											Spannungsregler
																											19
																											galvanisch
																											zu
																											entkoppeln,
																											zum
																											Beispiel
																											durch
																											eine
																											optische
																											Datenübertragung,
																											wobei
																											kein
																											parasitärer
																											Strom
																											durch
																											den
																											Ionisationsverstärker
																											mehr
																											auftritt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											practice,
																											in
																											the
																											stable,
																											adjusted
																											state
																											of
																											the
																											air
																											ratio,
																											such
																											a
																											ratio
																											of
																											the
																											parasitic
																											current
																											to
																											the
																											ionization
																											current
																											of
																											less
																											than
																											0.1%
																											is
																											achievable.
																		
			
				
																						In
																											der
																											Praxis
																											ist
																											im
																											stabilen,
																											eingeregelten
																											Zustand
																											der
																											Luftzahl
																											ein
																											solches
																											Verhältnis
																											des
																											parasitären
																											Stromes
																											zum
																											Ionisationsstrom
																											von
																											weniger
																											als
																											0.1%
																											erreichbar.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											memory
																											element
																											has
																											high
																											resistance,
																											both
																											in
																											state
																											0
																											and
																											in
																											state
																											1,
																											so
																											that
																											the
																											element
																											acts
																											as
																											a
																											high-resistance
																											resistor
																											in
																											each
																											parasitic
																											current
																											path.
																		
			
				
																						Sowohl
																											im
																											Zustand
																											0
																											als
																											auch
																											im
																											Zustand
																											1
																											ist
																											dieses
																											Speicherelement
																											hochohmig,
																											so
																											dass
																											es
																											in
																											jedem
																											parasitären
																											Strompfad
																											als
																											hochohmiger
																											Widerstand
																											fungiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											further
																											capacitance
																											that
																											is
																											provided
																											according
																											to
																											the
																											invention
																											can
																											reliably
																											suppress
																											the
																											influence
																											of
																											non-addressed
																											memory
																											elements
																											only
																											if
																											the
																											further
																											capacitance
																											is
																											high
																											as
																											compared
																											to
																											the
																											overall
																											capacitance
																											of
																											all
																											parasitic
																											current
																											paths
																											through
																											non-addressed
																											memory
																											elements.
																		
			
				
																						Die
																											erfindungsgemäß
																											vorgesehene
																											weitere
																											Kapazität
																											vermag
																											den
																											Einfluss
																											nicht
																											adressierter
																											Speicherelemente
																											nur
																											dann
																											zuverlässig
																											zu
																											unterdrücken,
																											wenn
																											die
																											weitere
																											Kapazität
																											groß
																											gegen
																											die
																											Gesamtkapazität
																											aller
																											parasitären
																											Strompfade
																											durch
																											nicht
																											adressierte
																											Speicherelemente
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						All
																											parasitic
																											current
																											paths
																											that
																											are
																											possible
																											between
																											a
																											particular
																											word
																											line
																											and
																											a
																											particular
																											bit
																											line
																											are
																											connected
																											in
																											parallel,
																											so
																											that
																											the
																											capacitances
																											thereof
																											add
																											up.
																		
			
				
																						Alle
																											zwischen
																											einer
																											gegebenen
																											Wordline
																											und
																											einer
																											gegebenen
																											Bitline
																											möglichen
																											parasitären
																											Strompfade
																											sind
																											parallel
																											geschaltet,
																											so
																											dass
																											sich
																											ihre
																											Kapazitäten
																											addieren.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											disadvantage
																											is
																											that,
																											in
																											addition
																											to
																											the
																											direct
																											current
																											path
																											through
																											the
																											respective
																											addressed
																											memory
																											cell,
																											parasitic
																											current
																											paths
																											form
																											through
																											further
																											memory
																											cells
																											in
																											a
																											memory
																											matrix
																											comprising
																											many
																											of
																											these
																											memory
																											cells.
																		
			
				
																						Nachteilig
																											bilden
																											sich
																											in
																											einer
																											Speichermatrix
																											mit
																											vielen
																											dieser
																											Speicherzellen
																											neben
																											dem
																											direkten
																											Strompfad
																											durch
																											die
																											jeweils
																											adressierte
																											Speicherzelle
																											parasitäre
																											Strompfade
																											durch
																											weitere
																											Speicherzellen.
															 
				
		 EuroPat v2