Übersetzung für "Semiconducting material" in Deutsch
																						The
																											gain
																											section
																											and
																											the
																											waveguide
																											layers
																											preferably
																											consist
																											of
																											a
																											semiconducting
																											material.
																		
			
				
																						Vorzugsweise
																											bestehen
																											die
																											Gewinnsektion
																											und
																											die
																											Wellenleiterschichten
																											aus
																											einem
																											halbleitenden
																											Material.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											semiconducting
																											material
																											according
																											to
																											claim
																											1,
																											wherein
																											the
																											metal
																											complex
																											is
																											a
																											multi-core
																											metal
																											complex.
																		
			
				
																						Halbleitendes
																											Material
																											nach
																											Anspruch
																											1,
																											wobei
																											der
																											Metallkomplex
																											ein
																											mehrkerniger
																											Metallkomplex
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											accordance
																											with
																											a
																											further
																											embodiment,
																											the
																											main
																											body
																											comprises
																											a
																											semiconducting
																											material.
																		
			
				
																						Gemäß
																											einer
																											weiteren
																											Ausführungsform
																											weist
																											der
																											Grundkörper
																											ein
																											halbleitendes
																											Material
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											field
																											effect
																											transistor
																											can
																											comprise
																											at
																											least
																											one
																											electrically
																											conductive
																											or
																											semiconducting
																											organic
																											material.
																		
			
				
																						Der
																											Feldeffekttransistor
																											kann
																											mindestens
																											ein
																											elektrisch
																											leitfähiges
																											oder
																											halbleitendes
																											organisches
																											Material
																											umfassen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											in
																											a
																											variant,
																											it
																											may
																											also
																											be
																											made
																											of
																											a
																											semiconducting
																											synthetic
																											material.
																		
			
				
																						In
																											einer
																											Variation
																											kann
																											er
																											jedoch
																											auch
																											aus
																											halbleitendem
																											Kunststoff
																											gefertigt
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											a
																											further
																											embodiment,
																											the
																											semiconducting
																											material
																											comprises
																											a
																											resistance
																											material.
																		
			
				
																						In
																											einer
																											weiteren
																											Ausführungsform
																											umfasst
																											das
																											halbleitende
																											Material
																											ein
																											Widerstandsmaterial.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											opening
																											8
																											is
																											filled
																											with
																											a
																											semiconducting
																											material
																											or
																											a
																											metal.
																		
			
				
																						Die
																											Öffnung
																											8
																											ist
																											mit
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											oder
																											einem
																											Metall
																											gefüllt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											openings
																											8
																											are
																											filled
																											with
																											a
																											semiconducting
																											material
																											or
																											metal.
																		
			
				
																						Die
																											Öffnungen
																											8
																											sind
																											mit
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											oder
																											Metall
																											gefüllt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											opening
																											8
																											is
																											filled
																											with
																											a
																											semiconducting
																											material
																											or
																											with
																											metal.
																		
			
				
																						Die
																											Öffnung
																											8
																											ist
																											mit
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											beziehungsweise
																											mit
																											Metall
																											gefüllt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											first
																											layer,
																											which
																											adjoins
																											the
																											glass
																											unit,
																											is
																											formed
																											by
																											a
																											semiconducting
																											material.
																		
			
				
																						Eine
																											an
																											die
																											Glaseinheit
																											anschließende
																											erste
																											Schicht
																											ist
																											von
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											gebildet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Subsequently,
																											a
																											buffer
																											layer
																											24
																											made
																											of
																											a
																											semiconducting
																											material
																											is
																											deposited
																											thereon.
																		
			
				
																						Darauf
																											wird
																											nachfolgend
																											eine
																											Pufferschicht
																											24
																											aus
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											aufgebracht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											barrier
																											layer
																											26
																											made
																											of
																											a
																											semiconducting
																											material
																											is
																											deposited
																											on
																											the
																											buffer
																											layer
																											24
																											.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											Pufferschicht
																											24
																											wird
																											eine
																											Barrierenschicht
																											26
																											aus
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											aufgebracht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											invention
																											further
																											relates
																											to
																											an
																											organic
																											semiconducting
																											material
																											containing
																											a
																											metal
																											complex
																											of
																											the
																											invention
																											as
																											an
																											n-dopant.
																		
			
				
																						Die
																											Erfindung
																											betrifft
																											ferner
																											ein
																											organisches
																											halbleitendes
																											Material
																											enthaltend
																											einen
																											Metallkomplex
																											als
																											n-Dotanden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											process
																											as
																											claimed
																											in
																											claim
																											1,
																											wherein
																											the
																											surface
																											employed
																											is
																											a
																											semiconducting
																											layered
																											material.
																		
			
				
																						Verfahren
																											gemäß
																											Anspruch
																											1,
																											dadurch
																											gekennzeichnet,
																											daß
																											als
																											Festkörperoberfläche
																											ein
																											halbleitendes
																											Schichtmaterial
																											eingesetzt
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Neither
																											could
																											any
																											loosening
																											of
																											the
																											quartz
																											glass
																											substrate
																											from
																											the
																											wafer
																											of
																											semiconducting
																											material
																											be
																											observed.
																		
			
				
																						Auch
																											ein
																											Lösen
																											des
																											Quarzglas-Substrats
																											von
																											der
																											Scheibe
																											aus
																											halbleitendem
																											Material
																											konnte
																											nicht
																											beobachtet
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											semiconducting
																											material
																											according
																											to
																											claim
																											1,
																											wherein
																											the
																											metal
																											complex
																											is
																											of
																											multicore,
																											symmetrical
																											construction.
																		
			
				
																						Halbleitendes
																											Material
																											nach
																											einem
																											der
																											vorstehenden
																											Ansprüche,
																											wobei
																											der
																											Metallkomplex
																											mehrkernig
																											und
																											symmetrisch
																											aufgebaut
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											opening
																											in
																											the
																											dielectric
																											layer
																											is
																											preferably
																											filled
																											with
																											a
																											semiconducting
																											material
																											or
																											a
																											metal.
																		
			
				
																						Die
																											Öffnung
																											in
																											der
																											dielektrischen
																											Schicht
																											ist
																											mit
																											einem
																											halbleitenden
																											Material
																											oder
																											einem
																											Metall
																											gefüllt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											layer
																											thickness
																											of
																											the
																											hole
																											conductor
																											and
																											the
																											semiconducting
																											absorber
																											material
																											can
																											be
																											variably
																											changed
																											by
																											spray
																											coating.
																		
			
				
																						Die
																											Schichtdicke
																											des
																											Lochleiters
																											und
																											des
																											halbleitenden
																											Absorbermaterials
																											kann
																											mit
																											Sprühbeschichtung
																											variabel
																											verändert
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						On
																											the
																											central
																											element
																											3
																											a
																											there
																											is
																											a
																											layer
																											3
																											b
																											of
																											a
																											dielectric
																											or
																											semiconducting
																											material.
																		
			
				
																						Auf
																											dem
																											Zentralelement
																											3a
																											befindet
																											sich
																											eine
																											Schicht
																											3b
																											aus
																											einem
																											dielektrischen
																											oder
																											halbleitendem
																											Material.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						It
																											suffices
																											to
																											make
																											sure
																											by
																											appropriate
																											process
																											conditions
																											that
																											the
																											metal
																											component
																											is
																											adsorbed
																											only
																											at
																											the
																											n-semiconducting
																											support
																											materials,
																											and
																											not
																											at
																											the
																											inert
																											filling
																											materials,
																											so
																											that
																											a
																											weak
																											interaction
																											between
																											the
																											metal
																											component
																											and
																											the
																											n-semiconducting
																											support
																											material
																											occurs.
																		
			
				
																						Es
																											muss
																											lediglich
																											durch
																											geeignete
																											Verfahrensführung
																											sichergestellt
																											werden,
																											dass
																											die
																											Metallkomponente
																											nur
																											an
																											den
																											n-halbleitenden
																											Trägermaterialien,
																											nicht
																											aber
																											an
																											den
																											inerten
																											Füllmaterialien
																											adsorbiert
																											ist,
																											damit
																											die
																											schwache
																											Wechselwirkung
																											zwischen
																											der
																											Metallkomponente
																											und
																											dem
																											n-halbleitenden
																											Trägermaterial
																											auftritt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						If
																											an
																											inert
																											filling
																											material
																											is
																											added,
																											the
																											previous
																											reduction
																											treatment
																											is
																											carried
																											out
																											preferably
																											according
																											to
																											the
																											second
																											process
																											variant,
																											that
																											is,
																											reduction
																											under
																											harsher
																											conditions
																											in
																											order
																											that
																											the
																											metal
																											component
																											will
																											be
																											bound
																											more
																											strongly
																											to
																											the
																											n-semiconducting
																											support
																											material
																											and
																											will
																											not
																											migrate
																											onto
																											the
																											inert
																											support
																											material.
																		
			
				
																						Setzt
																											man
																											ein
																											inertes
																											Füllmaterial
																											zu,
																											so
																											führt
																											man
																											die
																											vorherige
																											Reduktionsbehandlung
																											vorzugsweise
																											nach
																											der
																											zweiten
																											Verfahrensvariante
																											durch,
																											d.h.
																											man
																											reduziert
																											unter
																											schärferen
																											Bedingungen,
																											damit
																											die
																											Metallkomponente
																											stärker
																											an
																											das
																											n-halbleitende
																											Trägermaterial
																											gebunden
																											wird
																											und
																											nicht
																											auf
																											das
																											inerte
																											Trägermaterial
																											wandert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Specifically,
																											the
																											insulator
																											body
																											may
																											consist
																											of
																											a
																											ceramic,
																											glass
																											or
																											a
																											synthetic
																											resinous
																											material,
																											and
																											the
																											resistance
																											material
																											may
																											be
																											applied
																											to
																											it
																											in
																											the
																											form
																											of
																											helices
																											or
																											layers
																											of
																											conducting
																											or
																											semiconducting
																											material.
																		
			
				
																						Im
																											einzelnen
																											kann
																											der
																											Isolierkörper
																											aus
																											Keramik,
																											Glas
																											oder
																											Kunststoff
																											bestehen
																											und
																											das
																											Widerstandsmaterial
																											in
																											Form
																											von
																											Spiralen
																											oder
																											lei
																											tenden
																											bzw.
																											halbleitenden
																											Schichten
																											darauf
																											aufgetragen
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2