Übersetzung für "Vlsi technology" in Deutsch

Such etching processes are critical production steps in VLSI technology and are to be avoided insofar as possible.
Ätzprozesse sind in der VLSI-Technologie kritische Fertigungsschritte und sollen nach Möglichkeit vermieden werden.
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The method is used in the manufacture of VLSI CMOS circuits in VLSI technology.
Das Verfahren wird angewandt bei der Herstellung von hochintegrierten CMOS-Schaltungen in VLSI-Technologie.
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The method serves for the manufacture of analog and digital CMOS circuits in VLSI technology.
Das Verfahren dient der Herstellung von analog, digital CMOS-Schaltungen in VLSi-Technologie.
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The invention is useful in the manufacture of MOS-circuits in VLSI-technology.
Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung von MOS-Schaltungen in VLSI-Technologie.
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A further field of application exists in the field of integrated semiconductor ciruits in VLSI-technology for the production of negative photo-resists.
Ein weiteres Anwendungsgebiet liegt im Bereich der integrierten Halbleiterschaltungen in VLSI-Technik bei der Erzeugung von Negativ-Fotoresists.
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A further area of employment lies in the field of integrated semiconductor circuits in VLSI technology when producing negative photo-resists.
Ein weiteres Anwendungsgebiet liegt im Bereich der integrierten Halbleiterschaltungen in VLSI-Technik bei der Erzeugung von Negativ-Fotoresists.
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This technique is useful for manufacturing VLSI CMOS circuits in VLSI technology with and without switched capacitors.
Das Verfahren wird verwendet für die Herstellung von hochintegrierten CMOS-Schaltungen in VLSI-Technologie mit und ohne Schaltkapazitäten.
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The invention will be further described in an exemplary embodiment wherein a process sequence for source/drain implantation of p- and n- channel transistors occurs and the production of capacitances within a CMOS process for manufacture of integrated semiconductor circuits in VLSI technology is described.
Als Ausführungsbeispiel wird der Prozeßablauf für die Source/Drain-Implantation der p- und n-Kanal-Transistoren und.die Herstellung von Kapazitäten innerhalb eines CMOS-Prozesses zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen in VLSI-Technologie beschrieben.
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For this reason, and also on account of the very low Dc and the good resolution, the polymer systems in accordance with the invention are best suitable for use as high-temperature-resistant negative resists in the production of integrated semiconductor circuits in VLSI-technology where the production of dimensionally accurate microstructures and patterns is of great significance.
Aus diesem Grunde und auch wegen der sehr niedrigen Dk und der guten Auflösung ist das erfindungsgemäße Polymersystem bestens geeignet als hochtemperaturbeständiger Negativlack bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen in VLSI-Technik, bei denen die Erzeugung maßgetreuer Mikrostrukturen bzw. -muster von großer Bedeutung ist.
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Due to their superior material properties (low resistance, low contact resistance, good adhesion of overlying dielectrics, self-passivation capability by forming a native oxide film, suitability for multilayer metallization) and a high-quality deposition technology with good step coverage, aluminum and aluminum alloy layers have been used as metallization material from the beginning of VLSI technology.
Aluminium- bzw. Aluminiumlegierungsschichten werden aufgrund ihrer überlegenen Materialeigenschaften (niedriger Widerstand, kleiner Kontaktwiderstand, gute Adhäsion von darüberliegenden Dielektrika, Selbstpassivierungsfähgikeit durch Bildung einer natürlichen Oxidschicht, Eignung für Mehrlagenmetallisierung) und gut funktionierender Abscheideverfahren mit guter Kantenbedeckung seit Beginn der VLSI-Technik als Leiterbahnmaterial verwendet.
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SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the problem of the manufacture of MNOS transistors with very short channel length in VLSI technology in a different, simpler and, thus, less costly manner than the prior art.
Die Erfindung löst das Problem der Herstellung von MNOS-Transistoren mit sehr kurzer Kanallänge in der VLSI-Technologie auf eine andere, einfachere und damit weniger aufwendigere Weise und ist durch ein Verfahren der eingangs genannten Art mit folgendem Ablauf der Verfahrensschritte gekennzeichnet:
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The method serves to produce NMOS, PMOS, and in particular CMOS circuits in VLSI technology and permits a very high packing density and an independent additional wiring plane of very low resistance.
Das Verfahren dient der Herstellung von NMOS-, PMOS- und insbesondere CMOS-Schaltungen in VLSI-Technologie und ermöglicht neben einer unabhängigen zusätzlichen sehr niederohmigen Verdrahtungsebene eine sehr hohe Packungsdichte.
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Given tantalum-silicon layers employed in VLSI technology as low-resistance gate material or as interconnects, the specific electrical resistance is highly influenced by the composition.
Auch bei Tantal-Silizium-Schichten, die in der VLSI-Technologie unter anderem als niederohmiges Gatematerial bzw. als Leiterbahnen eingesetzt werden, wird der spezifische elektrische Widerstand stark von der Zusammensetzung beeinflusst.
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For this reason, and also because of the very low Dk and the good solvent dissolution, the polymer system of the invention is excellently well suited for use as a high-temperature-resistant negative resist in the manufacture of integrated semiconductor circuits in VLSI technology wherein the formation of dimensionally true microstructures, or, alternatively, patterns is of great significance.
Aus diesem Grunde und auch wegen der sehr niedrigen Dk und der guten Auflösung ist das erfindungsgemäße Polymersystem bestens geeignet als hochtemperaturbeständiger Negativlack bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen in VLSI-Technik, bei denen dis Erzeugung maßgetreuer Mikrostrukturen bzw. -muster von großer Bedeutung ist.
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However, advances that have been achieved in VLSI technology bring real-time multi-dimensional filters into the realm of practical realization in comparison to earlier, complicated and comparatively slow computers.
Die Fortschritte aber, die in der sogenannten VLSI-Technologie (very large scale integration) erzielt werden, bringen gegenüber früheren komplizierten und verhältnismäßig langsamen Rechnern realzeitmehrdimensionale Filter in den Bereich der praktischen Realisierung.
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For such reasons, especially the far shorter exposure time, the polymer system of the present invention is optimally further suited for use in formulating a high-temperature-resistant negative lacquer which is adapted for use in the manufacture of integrated semiconductor circuits in VLSI technology, where the production of dimensionally true microstructures, or, alternatively, of micropatterns, is of great significance.
Aus diesem Grunde und auch wegen der sehr viel kürzeren Belichtungszeit ist das erfindungsgemäße Polymersystem bestens geeignet als hochtemperaturbeständiger Negativlack bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen in VLSI-Technik, bei denen die Erzeugung maßgetreuer Mikrostrukturen bzw. -muster von großer Bedeutung ist.
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As with neural networks, hardware implementation in analog circuit technology becomes necessary to meet real-time requirements, which, for larger problems, is only possible by means of VLSI technology, not available at present.
Erstens wird eine Hardwareimplementierung in analoger Schaltungstechnik erforderlich, um Echtzeitanforderungen zu erfüllen, was für größere Probleme nur in VLSI-Technik möglich ist und gegenwärtig nicht zur Verfügung steht.
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As set forth in the article by Kuesters et al., Symposion in VLSI Technology 1987, Japan, pages 93-94, a self-aligned through hole can be manufactured in that an oxide/nitride/oxide triple layer is applied surface-wide after the oxide encapsulation and is in turn removed over the conductive region using a phototechnique in a plurality of etching processes, whereby the nitride layer serves as an etching stop.
Wie in dem Artikel von Küsters et al., Symposion in VLSI Technology 1987, Japan, Seite 93 - 94 beschrieben, kann ein selbstjustiertes Kontaktloch dadurch hergestellt werden, daß nach der Oxideinkapselung eine Oxid/Nitrid/Oxid-Dreifach-Schicht ganzflächig aufgebracht und unter Einsatz einer Fototechnik in mehreren Ätzprozessen, wobei die Nitridschicht als Ätzstop dient, über dem leitenden Gebiet wieder entfernt wird.
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Such a semiconductor memory device having a storage capacitor with a ferroelectric dielectric (a so-called FRAM) is known, for instance, from The 1994 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, pp. 55 ff. by R. Moazzami et al, and from The 1994 IEEE International Solid-State Circuits Conference, pp. 268 ff. by Tatsumi Sumi et al. In that semiconductor memory device the storage capacitors with the ferroelectric dielectric are constructed in planar fashion and because of the wiring the also have cell surface areas of considerable size per bit, which is considered to be disadvantageous in view of the desired large scale of integration.
Eine derartige Halbleiter-Speichervorrichtung mit einem Speicherkondensator mit einem ferroelektrischen Dielektrikum (sogenannter FRAM) ist beispielsweise aus R. Moazzami et al, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers 1994, Seiten 55 ff., und Tatsumi Sumi et al., IEEE International Solid-State Circuits Conference 1994, Seiten 268 ff. bekannt, bei welcher Halbleiter-Speichervorrichtung die Speicherkondensatoren mit dem ferroelektrischen Dielektrikum planar ausgebildet sind und auch aufgrund der Verdrahtung erhebliche Zellflächen pro Bit aufweisen, was angesichts einer erwünschten hohen Integrationsdichte als nachteilig angesehen wird.
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Such a semiconductor memory device having a storage capacitor with a ferroelectric dielectric (a so-called FRAM) is known, for instance, from The 1994 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, pp. 55 ff. by R. Moazzami et al, and from The 1994 IEEE International Solid-State Circuits Conference, pp. 268 ff. by Tatsumi Sumi et al. In that semiconductor memory device the storage capacitors with the ferroelectric dielectric are constructed in planar fashion and additionally, because of the wiring, have cell surface areas of considerable size per bit, which is considered to be disadvantageous in the view of a desired large scale of integration.
Eine derartige Halbleiter-Speichervorrichtung mit einem Speicherkondensator mit einem ferroelektrischen Dielektrikum (sogenannter FRAM) ist beispielsweise aus R. Moazzami et al, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers 1994, Seiten 55 ff., und Tatsumi Sumi et al., IEEE International Solid-State Circuits Conference 1994, Seiten 268 ff. bekannt, bei welcher Halbleiter-Speichervorrichtung die Speicherkondensatoren mit dem ferroelektrischen Dielektrikum planar ausgebildet sind und auch aufgrund der Verdrahtung erhebliche Zellflächen pro Bit aufweisen, was angesichts einer erwünschten hohen Integrationsdichte als nachteilig angesehen wird.
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This known process is limited to manufacture of extremely thin metal structures as are utilized, for example, in VLSI technology.
Das bekannte Verfahren ist auf die Herstellung extrem dünner Metallstrukturen, wie sie beispielsweise in der VLSI-Technologie Anwendung finden, beschränkt.
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The process in accordance with the invention is used in particular for making via holes in the double-layer insulation between first and second metallurgy of integrated circuit structures in VLSI technology.
Das Verfahren gemäß der Erfindung wird insbesondere angewendet bei der Herstellung von Kontaktöffnungen in der Doppellagenisolation zwischen erster und zweiter Metallisierung von integrierten Schaltkreisstrukturen in der VLSI-Technologie.
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