Translation of "Complementary effect" in German
Complementary
and
effect
colours
guarantee
your
company
clothing
the
attention
it
deserves.
Komplementär-
und
Effektfarben
sichern
Ihren
Textilien
die
Aufmerksamkeit,
die
sie
verdienen.
ParaCrawl v7.1
The
active
substances
in
Pravafenix,
pravastatin
and
fenofibrate,
work
in
different
ways
and
their
actions
have
a
complementary
effect.
Die
in
Pravafenix
enthaltenen
Wirkstoffe
Pravastatin
und
Fenofibrat
haben
unterschiedliche
Wirkungen,
die
sich
gegenseitig
ergänzen.
TildeMODEL v2018
The
invention
relates
further
to
a
method
of
producing
a
large-scale
integrated
complementary
MOS
field-effect
transistor
circuit
(CMOS
circuit).
Ferner
betrifft
die
Erfindung
Verfahren
zum
Herstellen
einer
hochintegrierten
komplementären
MOS-Feldeffektransistorschaltung
(CMOS-Schaltung).
EuroPat v2
In
a
second
alignment
or
when
viewing
from
a
different
viewing
direction,
the
complementary
effect
occurs.
In
einer
zweiten
Ausrichtung
oder
bei
Betrachtung
aus
einer
anderen
Betrachtungsrichtung
ergibt
sich
der
komplementäre
Effekt.
EuroPat v2
The
active
substances
in
Cholib,
fenofibrate
and
simvastatin,
work
in
different
ways
and
their
actions
have
a
complementary
effect.
Die
in
Cholib
enthaltenen
Wirkstoffe,
Fenofibrat
und
Simvastatin,
haben
unterschiedliche
Wirkungen,
die
sich
gegenseitig
ergänzen.
ELRC_2682 v1
There's
a
complementary
effect
and
the
patient
goes
from...
From
stable
to
unstable,
and
becomes...
suspended
in
the
middle.
Es
gibt
eine
komplementäre
Wirkung
und
der
Patient
geht
von
...
von
stabil
zu
instabil,
und
wird
...
mittendrin
angehalten.
OpenSubtitles v2018
The
inverter
stage
I5
is
again
constructed
by
two
complementary
field
effect
transistors
P7
and
N15,
whereby
a
first
terminal
of
P7
and
N15
form
the
output
of
the
inverter
stage
I5
and
the
gate
terminals
of
both
field
effect
transistors
represent
the
input
of
the
fifth
inverter
stage
I5
that
is
to
be
connected,
first,
to
the
gate
terminals
of
the
n-channel
field
effect
transistor
N3,
the
n-channel
field
effect
transistor
N9
and
the
n-channel
field
effect
transistor
N2
and,
second,
to
the
output
of
the
fifth
inverter
stage
I3.
Die
Inverterstufe
I5
wird
wieder
mit
Hilfe
zweier
komplementärer
Feldeffekttransistoren
P7
und
NI5
aufgebaut,
wobei
ein
erster
Anschluß
von
P7
und
N15
den
Ausgang
der
Inverterstufe
I5
bilden
und
die
Gateanschlüsse
beider
Feldeffekttransistoren
den
Eingang
der
fünften
Inverterstufe
15
darstellen,
der
zum
einen
mit
den
Gateanschlüssen
des
n-Kanal-Feldeffekttransistors
N3,
den
n-Kanal-Feldeffekttransistor
N9
und
des
n-Kanal-Feldeffekttransistors
N2
zum
anderen
mit
dem
Ausgang
der
fünften
Inverterstufe
I3
verbunden
ist.
EuroPat v2
According
to
the
basic
idea
of
the
invention,
and
in
distinction
to
the
prior
art,
the
input
signal
is
not
applied
to
the
gate
electrodes
which
are
connected
to
one
another,
but
separately
via
a
driver
stage
which
serves
to
produce
two
driver
signals
of
the
same
sign,
which
are
simultaneously
applied
to
each
time
one
gate
electrode
of
the
complementary
field-effect
transistors,
and
each
time
raise
the
source-gate
voltage
of
one
of
the
two
field-effect
transistors
above
its
threshold
value.
Entsprechend
dem
Grundgedanken
der
Erfindung
wird
also
unterschiedlich
zum
bekannten
Stand
der
Technik
das
Eingangssignal
nicht
an
die
miteinander
verbundenen
Gateelektroden
angelegt,
sondern
getrennt
über
eine
Treiberstufe,
welche
zur
Erzeugung
von
zwei
Treibersignalen
gleichen
Vorzeichens
dient,
die
gleichzeitig
an
je
eine
Gateelektrode
der
komplementären
Feldeffekttransistoren
angelegt
werden
und
jeweils
die
Source-Gate-Spannung
eines
der
beiden
Feldeffekttransistoren
über
dessen
Schwellenspannung
anhebt.
EuroPat v2
The
invention
relates
to
a
method
for
the
manufacture
of
gate
electrodes
formed
of
double
layers
of
metal
silicides
having
a
high
melting
point,
and
doped
polycrystalline
silicides
(polycide),
in
particular
for
integrated
complementary
MOS-field
effect
transistor
circuits
(CMOS)
wherein
the
manufacture
of
the
source/drain
zones
is
provided
through
ion
implantation
after
the
production
of
the
gate
electrode
pursuant
to
use
of
the
gate
electrode
as
an
implantation
mask.
Die
Erfindung
betrifft
ein
Verfahren
zum
Herstellen
von
aus
Doppelschichten
aus
hochschmelzenden
Metallsiliziden
und
dotiertem
polykristallinem
Silizium
(Polyzid)
bestehenden
Gate-Elektroden,
insbesondere
für
integrierte
komplementäre
MOS-Feldeffekttransistorschaltungen
(CMOS),
bei
dem
die
Herstellung
der
Source/Drain-Bereiche
durch
Ionenimplantation
nach
dem
Erzeugen
der
Gate-Elektrode
unter
Verwendung
der
Gate-Elektrode
als
Implantationsmaske
vorgenommen
werden.
EuroPat v2
Prior
Art
In
known
methods
for
manufacturing
LSI
complementary
MOS
field
effect
transistors
circuits
(CMOS
circuits),
multiple
implantations
according
to
various
techniques,
which
are
very
involved,
are
employed
for
defining
the
different
transistor
threshold
voltages.
Bei
den
aus
dem
Stand
der
Technik
bekannten
Prozessen
zur
Herstellung
von
hochintegrierten
komplementären
MOS-Feldeffekttransistoreschaltungen
(CMOS-Schaltungen)
werden
zur
Einstellung
der
verschiedenen
Transistoreinsatzspannungen
Mehrfachimplantationen
nach
verschiedenen
Technologien
verwendet,
die
sehr
aufwendig
sind.
EuroPat v2
However,
by
following
the
principles
of
the
invention
one
can
also
design
the
process
sequence
in
such
a
manner
that
complementary
field
effect
transistor
circuits
without
additional
switched
capacitors
can
be
produced.
Es
ist
aber
auch
möglich,
die
Prozeßführung
so
zu
gestalten,
daß
komplementäre
Feldeffekttransistorschaltungen
ohne
zusätzliche
Schaltkapazitäten
(switched
capacitors)
hergestellt
werden
können.
EuroPat v2
For
switching
a
“switched
capacitor”,
an
insulated
gate
field
effect
transistor
(IGFET)
is
usually
employed,
and
in
particular
two
complementary
field
effect
transistors
(CMOS
field
effect
transistors)
connected
in
parallel
to
each
other
are
employed.
Zum
Schalten
eines
"geschalteten
Kondensators"
verwendet
man
üblicherweise
einen
Feldeffekttransistor
mit
isoliertem
Gate
(IGFET),
insbesondere
verwendet
man
zwei
miteinander
parallel
geschaltete
komplementäre
Feldeffekttransistoren
(CMOS-Feldeffekttransistoren).
EuroPat v2
The
balancing
accuracy
with
respect
to
amplification
and
time
behavior
between
the
analog
and
digital
signal
processing
with
complementary
effect
must
be
extremely
high
to
avoid
distortions.
Die
Abgleichgenauigkeit
hinsichtlich
Verstärkung
und
Zeitverhalten
zwischen
der
komplementär
wirkenden
analogen
und
digitalen
Signalverarbeitung
muß
zur
Vermeidung
von
Verzerrungen
extrem
hoch
sein.
EuroPat v2
Complementary
MOS
field
effect
transistor
circuits
are
produced
in
silicon
gate
technology,
with
the
method
steps
up
to
the
structuring
of
the
gate
electrode
being
executed
in
a
known
manner.
Die
Erfindung
betrifft
ein
Verfahren
zum
Herstellen
von
komplementären
MOS-Feldeffekttransistorschaltungen
in
Siliziumgate-Technologie,
bei
dem
die
Verfahrensschritte
bis
zur
Stukturierung
der
Gateelektrode
in
bekannter
Weise
durchgeführt
werden.
EuroPat v2