Übersetzung für "Complementary effect" in Deutsch

Complementary and effect colours guarantee your company clothing the attention it deserves.
Komplementär- und Effektfarben sichern Ihren Textilien die Aufmerksamkeit, die sie verdienen.
ParaCrawl v7.1
The active substances in Pravafenix, pravastatin and fenofibrate, work in different ways and their actions have a complementary effect.
Die in Pravafenix enthaltenen Wirkstoffe Pravastatin und Fenofibrat haben unterschiedliche Wirkungen, die sich gegenseitig ergänzen.
TildeMODEL v2018
The invention relates further to a method of producing a large-scale integrated complementary MOS field-effect transistor circuit (CMOS circuit).
Ferner betrifft die Erfindung Verfahren zum Herstellen einer hochintegrierten komplementären MOS-Feldeffektransistorschaltung (CMOS-Schaltung).
EuroPat v2
In a second alignment or when viewing from a different viewing direction, the complementary effect occurs.
In einer zweiten Ausrichtung oder bei Betrachtung aus einer anderen Betrachtungsrichtung ergibt sich der komplementäre Effekt.
EuroPat v2
The active substances in Cholib, fenofibrate and simvastatin, work in different ways and their actions have a complementary effect.
Die in Cholib enthaltenen Wirkstoffe, Fenofibrat und Simvastatin, haben unterschiedliche Wirkungen, die sich gegenseitig ergänzen.
ELRC_2682 v1
There's a complementary effect and the patient goes from... From stable to unstable, and becomes... suspended in the middle.
Es gibt eine komplementäre Wirkung und der Patient geht von ... von stabil zu instabil, und wird ... mittendrin angehalten.
OpenSubtitles v2018
The inverter stage I5 is again constructed by two complementary field effect transistors P7 and N15, whereby a first terminal of P7 and N15 form the output of the inverter stage I5 and the gate terminals of both field effect transistors represent the input of the fifth inverter stage I5 that is to be connected, first, to the gate terminals of the n-channel field effect transistor N3, the n-channel field effect transistor N9 and the n-channel field effect transistor N2 and, second, to the output of the fifth inverter stage I3.
Die Inverterstufe I5 wird wieder mit Hilfe zweier komple­mentärer Feldeffekttransistoren P7 und NI5 aufgebaut, wobei ein erster Anschluß von P7 und N15 den Ausgang der Inverterstufe I5 bilden und die Gateanschlüsse beider Feldeffekttransistoren den Eingang der fünften Inverterstufe 15 darstellen, der zum einen mit den Gateanschlüssen des n-Kanal-Feldeffekttransistors N3, den n-Kanal-Feldeffekttransistor N9 und des n-Kanal-Feldeffekt­transistors N2 zum anderen mit dem Ausgang der fünften Inver­terstufe I3 verbunden ist.
EuroPat v2
According to the basic idea of the invention, and in distinction to the prior art, the input signal is not applied to the gate electrodes which are connected to one another, but separately via a driver stage which serves to produce two driver signals of the same sign, which are simultaneously applied to each time one gate electrode of the complementary field-effect transistors, and each time raise the source-gate voltage of one of the two field-effect transistors above its threshold value.
Entsprechend dem Grundgedanken der Erfindung wird also unterschiedlich zum bekannten Stand der Technik das Eingangssignal nicht an die miteinander verbundenen Gateelektroden angelegt, sondern getrennt über eine Treiberstufe, welche zur Erzeugung von zwei Treibersignalen gleichen Vorzeichens dient, die gleichzeitig an je eine Gateelektrode der komplementären Feldeffekttransistoren angelegt werden und jeweils die Source-Gate-Spannung eines der beiden Feldeffekttransistoren über dessen Schwellenspannung anhebt.
EuroPat v2
The invention relates to a method for the manufacture of gate electrodes formed of double layers of metal silicides having a high melting point, and doped polycrystalline silicides (polycide), in particular for integrated complementary MOS-field effect transistor circuits (CMOS) wherein the manufacture of the source/drain zones is provided through ion implantation after the production of the gate electrode pursuant to use of the gate electrode as an implantation mask.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von aus Doppelschichten aus hochschmelzenden Metallsiliziden und dotiertem polykristallinem Silizium (Polyzid) bestehenden Gate-Elektroden, insbesondere für integrierte komplementäre MOS-Feldeffekttransistorschaltungen (CMOS), bei dem die Herstellung der Source/Drain-Bereiche durch Ionenimplantation nach dem Erzeugen der Gate-Elektrode unter Verwendung der Gate-Elektrode als Implantationsmaske vorgenommen werden.
EuroPat v2
Prior Art In known methods for manufacturing LSI complementary MOS field effect transistors circuits (CMOS circuits), multiple implantations according to various techniques, which are very involved, are employed for defining the different transistor threshold voltages.
Bei den aus dem Stand der Technik bekannten Prozessen zur Herstellung von hochintegrierten komplementären MOS-Feldeffekttransistoreschaltungen (CMOS-Schaltungen) werden zur Einstellung der verschiedenen Transistoreinsatzspannungen Mehrfachimplantationen nach verschiedenen Technologien verwendet, die sehr aufwendig sind.
EuroPat v2
However, by following the principles of the invention one can also design the process sequence in such a manner that complementary field effect transistor circuits without additional switched capacitors can be produced.
Es ist aber auch möglich, die Prozeßführung so zu gestalten, daß komplementäre Feldeffekttransistorschaltungen ohne zusätzliche Schaltkapazitäten (switched capacitors) hergestellt werden können.
EuroPat v2
For switching a “switched capacitor”, an insulated gate field effect transistor (IGFET) is usually employed, and in particular two complementary field effect transistors (CMOS field effect transistors) connected in parallel to each other are employed.
Zum Schalten eines "geschalteten Kondensators" verwendet man üblicherweise einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET), insbesondere verwendet man zwei miteinander parallel geschaltete komplementäre Feldeffekttransistoren (CMOS-Feldeffekttransistoren).
EuroPat v2
The balancing accuracy with respect to amplification and time behavior between the analog and digital signal processing with complementary effect must be extremely high to avoid distortions.
Die Abgleichgenauigkeit hinsichtlich Verstärkung und Zeitverhalten zwischen der komplementär wirkenden analogen und digitalen Signalverarbeitung muß zur Vermeidung von Verzerrungen extrem hoch sein.
EuroPat v2
Complementary MOS field effect transistor circuits are produced in silicon gate technology, with the method steps up to the structuring of the gate electrode being executed in a known manner.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von komplementären MOS-Feldeffekttransistorschaltungen in Siliziumgate-Technologie, bei dem die Verfahrensschritte bis zur Stukturierung der Gateelektrode in bekannter Weise durchgeführt werden.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe