Translation of "Trench depth" in German

The trench depth of about 40 ?m correspondends to the future conductor thickness.
Die Grabentiefe von etwa 40 um entspricht der späteren Leiterzugdicke.
EuroPat v2
In this way, the replicability of the trench depth is improved.
Auf diese Weise wird die Reproduzierbarkeit der Grabentiefe verbessert.
EuroPat v2
This markup is the benchmark by which digs a trench depth required.
Dieses Markup ist der Maßstab, an dem gräbt eine Grabentiefe erforderlich.
ParaCrawl v7.1
In this case, wide means that the trench width becomes several times the trench depth.
Breit ausgeführt bedeutet dabei, daß die Trenchbreite ein Mehrfaches der Trenchtiefe annimmt.
EuroPat v2
This is in the Mariana Trench at a depth of over 10,000 metres.
Diese befindet sich im Marianengraben in Ã1?4ber 10.000 m Tiefe.
ParaCrawl v7.1
Layer 2 should preferably be about twice as thick as the desired trench depth in the silicon.
Sie sollte vorzugsweise etwa doppelt so dick sein wie die gewünschte Grabentiefe im Silicium.
EuroPat v2
Two opposite parts (sides) of the trench wall are implanted down to the same trench depth.
Es werden zwei gegenüberliegende Teile (Seiten) der Grabenwand bis zur selben Grabentiefe implantiert.
EuroPat v2
When marking tight, dripped a trench to a depth of 30 cm.
Wenn enge Markierung, tropfte ein Graben bis zu einer Tiefe von 30 cm.
ParaCrawl v7.1
In addition, other structural parameters such as trench depth or sidewall inclination are also of major importance.
Daneben sind noch weitere Strukturparameter wie z. B. Grabentiefe oder Seitenwandschräge von großer Wichtigkeit.
EuroPat v2
Around the perimeter of the basement digging a trench to a depth of 0.4 m.
Um den Umfang des Untergeschosses eines Grabens bis zu einer Tiefe von 0,4 m zu graben.
ParaCrawl v7.1
You should prepare a trench the depth of which varies from 40 to 50 centimeters.
Sie sollten einen Graben vorbereiten, dessen Tiefe zwischen 40 und 50 cm variiert.
ParaCrawl v7.1
As the photoresist is etched with the same, or even higher speed than the silicon, the thick photoresist mask 5 is to be made with a layer thickness of at least 7 to 9 ?m for the etching of a silicon trench having a depth of 4 ?m.
Weil der Photoresist gleich schnell oder sogar noch schneller als Silicium geätzt wird, muß die Resistmaske 5 in einer Schichtdicke von mindestens 7 bis 9 µm für das Ätzen eines Siliciumgrabens mit einer Tiefe von 4 µm hergestellt werden.
EuroPat v2
Because the walls of the V-trenches have a 54.7-degree inclination along the entire (111-) crystal surfaces, the trench depth can be determined simply by the width of the openings of the lithography mask.
Ihre Tiefe kann, da sich die Wände der V-Nuten entlang der (111-)Kristallflächen im Silizium stets unter 54,7 Grad Neigung ausbilden, in einfacher Weise durch die Öffnungsbreite der Lithografiemaske bestimmt werden.
EuroPat v2
Although this increases the channel resistance of the internal MOSFET, a smaller forward voltage is achieved for the overall component with a trench depth that is only slightly larger than the penetration depth of the P bulk region than with narrow and very deep structures.
Obwohl sich damit der Kanalwiderstand des internen MOSFET erhöht, wird bereits mit einer Trenchtiefe, die nur wenig größer als die Eindringtiefe des p- Bulkgebietes ist, eine geringere Flußspannung für das Gesamtbauelement, als mit schmalen und sehr tiefen Strukturen erreicht.
EuroPat v2
The implantation angle in combination with the width of the trench determines to what trench depth the trench wall is doped, and thus what channel length (non-implanted middle region of the trench wall) remains.
Durch den Implantationswinkel in Kombination mit der Breite des Grabens ergibt sich, bis zu welcher Grabentiefe die Grabenwand dotiert wird, und damit, welche Kanallänge (nicht-implantierter mittlerer Bereich der Grabenwand) verbleibt.
EuroPat v2
Although the etching method is more involved and requires an etching template and lithographic steps, it has the advantage of a more accurate and more uniform definition of the trench depth.
Obwohl das Ätzverfahren aufwendiger ist und zudem eine Ätzmaske und Lithografieschritte benötigt werden, hat es den Vorteil einer genaueren und gleichmäßigeren Definition der Grabentiefe.
EuroPat v2
By dry etching, the layer sequence is provided with at least one mesa trench whose depth is at least great enough that the active zone of the layer sequence is severed.
Die Schichtenfolge wird mittels Trockenätzen mit wenigstens einem Mesagraben versehen, dessen Tiefe mindestens so groß ist, daß die aktive Zone der Schichtenfolge durchtrennt wird.
EuroPat v2
The use of a hard mask has the advantage that the first trench and/or the second trench can be formed with a large trench depth.
Die Verwendung einer Hartmaske hat den Vorteil, daß der erste Graben beziehungsweise der zweite Graben mit einer großen Grabentiefe gebildet werden kann.
EuroPat v2
The etching for forming the first trench 5 and the second trench 7 is carried out anisotropically, for example, in order to form a trench having a high aspect ratio (trench depth to trench diameter).
Die Ätzung zur Bildung des ersten Grabens 5 und des zweiten Grabens 7 wird beispielsweise anisotrop durchgeführt, um einen Graben mit hohem Aspektverhältnis (Grabentiefe zu Grabendurchmesser) zu bilden.
EuroPat v2
Process as defined in claim 1, wherein the spin-on deposition of the photoresist is performed so that said photoresist is directly spun on the grating structure and wherein said minimum depth of material removal corresponds to the grating trench depth (a).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Photolack direkt auf die Gitterstruktur des Halbleiterwafers aufgeschleudert wird, und daß der mittels Ätzverfahren auf der xz-Ebene vorzunehmende Materialabtrag gleicher Tiefe eine Mindesttiefe aufweist, die der Gittergrabentiefe (a) entspricht.
EuroPat v2
Process as defined in claim 1, further comprising providing additional semiconductor layers on the grating structure, said additional semiconductor layers having a total thickness (b) above the grating structure, and wherein the photoresist is spun-on the additional semiconductor layers and the minimum depth of the material removal corresponds to a sum of the total thickness (b) of the semiconductor layers and the grating trench depth (a).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Photolack auf eine oberhalb der Gitterstruktur des Halbleiterwafers aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge der Gesamtdicke (b) aufgeschleudert wird, und daß der mittels Ätzverfahren auf der xz-Ebene vorzunehmende Materialabtrag gleicher Tiefe eine Mindesttiefe aufweist, die aus der Summe der Dicken der Halbleiterschichtenfolge (b) und der Gittergrabentiefe (a) resultiert.
EuroPat v2
A pyramidal etched trench whose depth is determined by the dimensioning of the membrane and amounts to a few hundred micrometers arises under the membrane as a result of the etching process.
Durch den Ätzprozeß entsteht eine pyramidenförmige Ätzgrube unter der Membran, deren Tiefe durch die Dimensionierung der Membran determiniert ist und einige hundert Mikometer beträgt.
EuroPat v2

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