Übersetzung für "Wafer pattern" in Deutsch
																						The
																											invention
																											will
																											be
																											explained
																											below,
																											by
																											way
																											of
																											example,
																											with
																											reference
																											to
																											an
																											optical
																											layer
																											thickness
																											measurement
																											system
																											which
																											is
																											part
																											of
																											a
																											wafer
																											production
																											line
																											and
																											with
																											which
																											the
																											intended
																											wafer
																											pattern
																											can
																											be
																											monitored
																											directly.
																		
			
				
																						Die
																											Erfindung
																											wird
																											im
																											Folgenden
																											beispielhaft
																											anhand
																											eines
																											optischen
																											Schichtdickenmeßsystems
																											erläutert,
																											das
																											zu
																											einer
																											Fertigungslinie
																											für
																											Wafer
																											gehört
																											und
																											mit
																											dem
																											die
																											erzielte
																											Waferstruktur
																											unmittelbar
																											kontrolliert
																											werden
																											kann.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Up
																											to
																											now
																											attempts
																											have
																											been
																											made
																											to
																											protect
																											the
																											back
																											by
																											applying
																											a
																											positive
																											resist
																											all
																											over
																											the
																											back
																											of
																											the
																											wafer
																											and
																											to
																											pattern
																											it
																											through
																											photolithography
																											so
																											that
																											it
																											remains
																											only
																											in
																											the
																											caverns
																											and
																											not
																											on
																											the
																											remaining
																											back
																											of
																											the
																											wafer.
																		
			
				
																						Bisher
																											wurde
																											versucht,
																											den
																											Rückseitenschutz
																											dadurch
																											zu
																											erreichen,
																											daß
																											ein
																											Positivabdecklack
																											ganzflächig
																											auf
																											der
																											Rückseite
																											des
																											Wafers
																											aufgetragen
																											und
																											photolithographisch
																											so
																											strukturiert
																											wurde,
																											daß
																											er
																											nur
																											in
																											den
																											Kavernen,
																											nicht
																											jedoch
																											auf
																											der
																											übrigen
																											Waferrückseite
																											verblieb.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						When
																											the
																											wafers
																											being
																											produced
																											are
																											switched
																											over
																											to
																											a
																											new
																											pattern,
																											this
																											device
																											can
																											thus
																											easily
																											be
																											adapted
																											to
																											a
																											new
																											wafer
																											pattern
																											in
																											a
																											learning
																											procedure.
																		
			
				
																						Bei
																											Umstellung
																											der
																											zu
																											fertigenden
																											Wafer
																											auf
																											eine
																											neue
																											Struktur
																											läßt
																											sich
																											diese
																											Einrichtung
																											somit
																											einfach
																											in
																											einem
																											Lernverfahren
																											an
																											eine
																											neue
																											Waferstruktur
																											anpassen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											this
																											purpose,
																											a
																											photoresist
																											is
																											applied
																											to
																											the
																											wafer
																											underside
																											and
																											patterned.
																		
			
				
																						Hierzu
																											wird
																											ein
																											Photolack
																											auf
																											der
																											Waferunterseite
																											aufgebracht
																											und
																											strukturiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											this
																											purpose,
																											a
																											photoresist
																											is
																											applied
																											to
																											the
																											pre-patterned
																											wafer
																											underside
																											and
																											is
																											patterned.
																		
			
				
																						Hierzu
																											wird
																											ein
																											Photolack
																											auf
																											die
																											vorstrukturierte
																											Waferunterseite
																											aufgebracht
																											und
																											strukturiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											wafers
																											were
																											then
																											patterned
																											by
																											exposure
																											with
																											a
																											proximity
																											contact
																											printer
																											of
																											Canon
																											Inc.
																		
			
				
																						Die
																											Wafer
																											wurden
																											dann
																											unter
																											einem
																											Proximity-Kontaktkopierer
																											der
																											Canon
																											Inc.
																											belichtet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											both
																											cases,
																											the
																											mask
																											covers
																											the
																											entire
																											wafer,
																											and
																											simultaneously
																											patterns
																											every
																											die.
																		
			
				
																						Bei
																											Steppern
																											wird
																											der
																											Wafer
																											in
																											mehreren
																											Schritten
																											rasterförmig
																											mit
																											immer
																											derselben
																											Maske
																											belichtet.
															 
				
		 Wikipedia v1.0
			
																						Patterned
																											wafers
																											provided
																											for
																											chip
																											production
																											cannot,
																											in
																											practice,
																											be
																											produced
																											without
																											deviations
																											from
																											the
																											ideal
																											pattern.
																		
			
				
																						Für
																											die
																											Chipherstellung
																											vorgesehene
																											strukturierte
																											Wafer
																											lassen
																											sich
																											praktisch
																											nicht
																											ohne
																											Abweichungen
																											von
																											der
																											Idealstruktur
																											herstellen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											structures
																											of
																											a
																											patterned
																											wafer
																											21
																											are
																											molded
																											or
																											transferred
																											onto
																											the
																											top
																											cap
																											wafer
																											2
																											.
																		
			
				
																						Dabei
																											werden
																											die
																											Strukturen
																											eines
																											Formwafers
																											21
																											auf
																											den
																											Top-Deckelwafer
																											2
																											abgeformt
																											beziehungsweise
																											übertragen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											manner,
																											the
																											structures
																											of
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											are
																											completely
																											molded
																											onto
																											the
																											top
																											cap
																											wafer
																											2
																											.
																		
			
				
																						Auf
																											diese
																											Weise
																											werden
																											die
																											Strukturen
																											des
																											Formwafers
																											21
																											vollständig
																											auf
																											den
																											Top-Deckelwafer
																											2
																											abgeformt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						On
																											a
																											patterned
																											wafer,
																											a
																											microscopically
																											readily
																											recognizable
																											light
																											reflection
																											was
																											observed
																											in
																											the
																											area
																											of
																											a
																											bond
																											pad.
																		
			
				
																						Auf
																											einem
																											strukturierten
																											Wafers
																											wurde
																											im
																											Bereich
																											eines
																											Bondpads
																											ein
																											mikroskopisch
																											gut
																											erkennbarer
																											Lichtreflex
																											beobachtet.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Next,
																											the
																											mask
																											for
																											production
																											of
																											the
																											cantilever
																											is
																											fabricated
																											as
																											a
																											result
																											of
																											a
																											photoresist
																											once
																											again
																											being
																											applied
																											to
																											the
																											pre-patterned
																											wafer
																											underside
																											and
																											being
																											patterned
																											in
																											accordance
																											with
																											the
																											desired
																											shape.
																		
			
				
																						Als
																											nächstes
																											wird
																											die
																											Maske
																											zur
																											Herstellung
																											des
																											Cantilevers
																											erzeugt,
																											in
																											dem
																											erneut
																											ein
																											Photolack
																											auf
																											die
																											vorstrukturierte
																											Waferunterseite
																											aufgebracht
																											und
																											entsprechend
																											der
																											gewünschten
																											Form
																											strukturiert
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						SUMMARY
																											OF
																											THE
																											INVENTION
																											Proceeding
																											therefrom,
																											it
																											is
																											the
																											object
																											of
																											the
																											invention
																											to
																											create
																											a
																											method
																											for
																											defect
																											evaluation
																											on
																											patterned
																											wafers
																											that
																											allows,
																											with
																											high
																											reliability,
																											a
																											distinction
																											between
																											defects
																											impairing
																											the
																											functionality
																											of
																											a
																											chip
																											(critical
																											defects)
																											and
																											defects
																											that
																											do
																											not
																											impair
																											functionality
																											(noncritical
																											defects).
																		
			
				
																						Davon
																											ausgehend
																											liegt
																											der
																											Erfindung
																											die
																											Aufgabe
																											zugrunde,
																											ein
																											Verfahren
																											zur
																											Fehlerbewertung
																											an
																											strukturierten
																											Wafern
																											zu
																											schaffen,
																											das
																											mit
																											einer
																											hohen
																											Sicherheit
																											eine
																											Unterscheidung
																											in
																											die
																											Funktionsfähigkeit
																											eines
																											Chips
																											beeinträchtigende
																											(kritische)
																											Fehler
																											und
																											die
																											Funktionsfähigkeit
																											nicht
																											beeinträchtigende
																											(unkritische)
																											Fehler
																											erlaubt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						New
																											functions
																											for
																											the
																											two-dimensional
																											acquisition
																											and
																											storage
																											of
																											backscattered
																											electron
																											images,
																											and
																											an
																											algorithm
																											for
																											finding
																											a
																											respective
																											salient
																											structure
																											(of
																											the
																											reference
																											image)
																											within
																											a
																											search
																											image
																											that
																											is
																											larger
																											compared
																											to
																											that
																											reference
																											structure,
																											were
																											incorporated
																											as
																											part
																											of
																											an
																											expansion
																											of
																											capabilities
																											for
																											global
																											alignment
																											on
																											previously
																											patterned
																											wafers
																											or
																											masks
																											within
																											the
																											CAL
																											software
																											of
																											the
																											ZBA
																											31
																											(k)
																											electron
																											beam
																											exposure
																											system.
																		
			
				
																						Mit
																											dem
																											Hintergrund
																											der
																											Erweiterung
																											der
																											Möglichkeiten
																											des
																											Global-Alignments
																											auf
																											vorstrukturierten
																											Wafern
																											bzw.
																											Masken
																											innerhalb
																											der
																											CAL-Software
																											der
																											Elektronenstrahlbelichtungsanlage
																											ZBA31
																											(K)
																											erfolgte
																											die
																											Einbindung
																											neuer
																											Funktionen
																											zur
																											zweidimensionalen
																											Aufnahme
																											und
																											Abspeicherung
																											von
																											Rückstreuelektronenbildern
																											und
																											eines
																											Algorithmus
																											zum
																											Suchen
																											jeweils
																											einer
																											markanten
																											Struktur
																											(des
																											Referenzbildes)
																											innerhalb
																											eines
																											im
																											Verhältnis
																											zu
																											dieser
																											Referenzstruktur
																											größeren
																											Suchbildes.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						According
																											to
																											the
																											present
																											invention,
																											the
																											semiconductor
																											layer
																											of
																											the
																											basic
																											wafer,
																											i.e.
																											the
																											silicon
																											layer
																											in
																											the
																											case
																											of
																											an
																											SOI
																											wafer,
																											is
																											patterned
																											so
																											as
																											to
																											produce
																											a
																											fluid
																											structure
																											of
																											the
																											fluid
																											device,
																											the
																											fluid
																											structure
																											extending
																											through
																											the
																											semiconductor
																											layer.
																		
			
				
																						Erfindungsgemäß
																											wird
																											die
																											Halbleiterschicht
																											des
																											Basiswafers,
																											also
																											im
																											Falle
																											eines
																											SOI-Wafers
																											die
																											Siliziumschicht,
																											strukturiert,
																											um
																											eine
																											Fluidstruktur
																											des
																											Fluidbauelements
																											herzustellen,
																											wobei
																											sich
																											die
																											Fluidstruktur
																											durch
																											die
																											Halbleiterschicht
																											hindurch
																											erstreckt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											photoresist
																											layer
																											on
																											three
																											of
																											the
																											patterned
																											wafers
																											was
																											treated
																											with
																											the
																											processing
																											solutions
																											made
																											in
																											Preparations
																											1,
																											3
																											and
																											4.
																		
			
				
																						Die
																											Photoresistschicht
																											von
																											drei
																											der
																											bebilderten
																											Wafer
																											wurde
																											mit
																											den
																											in
																											den
																											Herstellungsbeispielen
																											1,
																											3
																											und
																											4
																											erhaltenen
																											Verarbeitungslösungen
																											behandelt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											patterned
																											wafer
																											21
																											remains
																											unchanged
																											in
																											the
																											areas
																											by
																											which
																											the
																											optical
																											windows
																											13
																											are
																											molded
																											so
																											that
																											the
																											original
																											surface
																											quality
																											of
																											the
																											polished
																											silicon
																											wafer
																											21
																											is
																											retained.
																		
			
				
																						Dieser
																											Formwafer
																											21
																											bleibt
																											in
																											den
																											Bereichen,
																											durch
																											die
																											die
																											optischen
																											Fenster
																											13
																											geformt
																											werden,
																											unverändert,
																											so
																											dass
																											die
																											ursprüngliche
																											Oberflächenqualität
																											des
																											polierten
																											Siliziumwafers
																											21
																											erhalten
																											bleibt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											the
																											areas
																											in
																											which
																											the
																											contact
																											areas
																											7
																											of
																											the
																											top
																											cap
																											wafer
																											2
																											are
																											produced,
																											deep
																											grooves
																											23
																											are
																											uniformly
																											etched
																											into
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											.
																		
			
				
																						In
																											den
																											Bereichen,
																											in
																											denen
																											die
																											Kontaktbereiche
																											7
																											des
																											Top-Deckelwafers
																											2
																											hergestellt
																											werden,
																											werden
																											gleichmäßig
																											tiefe
																											Gräben
																											23
																											in
																											den
																											Formwafer
																											21
																											geätzt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											can
																											be
																											achieved
																											for
																											example
																											very
																											homogenously
																											over
																											the
																											entire
																											patterned
																											wafer
																											21
																											in
																											a
																											time-controlled
																											manner
																											by
																											wet
																											etching
																											methods
																											using
																											potassium
																											hydroxide
																											(KOH)
																											or
																											TMAH
																											(tetramethylammonium
																											hydroxide).
																		
			
				
																						Sehr
																											homogen
																											über
																											den
																											gesamten
																											Formwafer
																											21
																											ist
																											dies
																											beispielsweise
																											zeitkontrolliert
																											mit
																											naßchemischen
																											Ätzverfahren
																											in
																											Kaliumhydroxid
																											(KOH)
																											oder
																											TMAH
																											(Tetramethylammoniumhydroxid)
																											zu
																											erzielen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						To
																											maximize
																											homogeneity
																											of
																											groove
																											depth
																											and
																											at
																											the
																											same
																											time
																											to
																											minimize
																											roughness
																											on
																											the
																											groove
																											bottoms
																											(27),
																											an
																											SOI
																											wafer
																											(silicon
																											on
																											insulator
																											wafer)
																											of
																											equivalent
																											thickness
																											can
																											be
																											used
																											for
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											instead
																											of
																											the
																											standard
																											silicon
																											wafer,
																											the
																											grooves
																											23
																											being
																											etched
																											up
																											to
																											the
																											concealed
																											oxide
																											layer.
																		
			
				
																						Um
																											ein
																											Maximum
																											an
																											Homogenität
																											der
																											Grabentiefe
																											und
																											zugleich
																											eine
																											minimale
																											Rauhigkeit
																											der
																											Grabenböden
																											(27)
																											zu
																											erzielen,
																											kann
																											für
																											den
																											Formwafer
																											21
																											anstelle
																											des
																											Standard
																											Siliziumwafers
																											ein
																											SOI-Wafer
																											(Silicon
																											on
																											insulator
																											-
																											Wafer)
																											entsprechender
																											Dicke
																											verwendet
																											werden,
																											wobei
																											die
																											Gräben
																											23
																											bis
																											auf
																											die
																											verborgene
																											Oxidschicht
																											geätzt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						To
																											completely
																											mold
																											the
																											structures
																											of
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21,
																											it
																											is
																											generally
																											necessary
																											to
																											carry
																											out
																											this
																											bonding
																											process
																											in
																											a
																											vacuum.
																		
			
				
																						Um
																											die
																											Strukturen
																											des
																											Formwafers
																											21
																											vollständig
																											abformen
																											zu
																											können,
																											ist
																											es
																											in
																											der
																											Regel
																											erforderlich,
																											diesen
																											Bondprozess
																											im
																											Vakuum
																											durchzuführen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Because
																											of
																											the
																											glass
																											flow,
																											the
																											side
																											of
																											the
																											top
																											cap
																											wafer
																											2
																											facing
																											away
																											from
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											is
																											no
																											longer
																											planar
																											after
																											cooling
																											(FIG.
																											4
																											c)
																											and
																											must
																											therefore
																											be
																											planarized
																											and
																											smoothed
																											in
																											a
																											precise
																											grinding
																											and
																											polishing
																											process
																											until
																											optical
																											quality
																											is
																											ultimately
																											restored.
																		
			
				
																						Bedingt
																											durch
																											den
																											Glasfluss
																											ist
																											die
																											vom
																											Formwafer
																											21
																											abgewandte
																											Seite
																											des
																											Top-Deckelwafers
																											2
																											nach
																											dem
																											Abkühlen
																											nicht
																											mehr
																											plan
																											(Fig
																											4c)
																											und
																											muss
																											daher
																											in
																											einem
																											präzisen
																											Schleif-
																											und
																											Polierprozess
																											planarisiert
																											und
																											geglättet
																											werden,
																											bis
																											schließlich
																											wieder
																											optische
																											Qualität
																											erzielt
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											the
																											next
																											step,
																											the
																											polished
																											top
																											cap
																											wafer
																											2
																											is
																											released
																											from
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											in
																											that
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											is
																											etched
																											away
																											by
																											wet
																											etching.
																		
			
				
																						Im
																											nächsten
																											Schritt
																											wird
																											der
																											polierte
																											Top-Deckelwafer
																											2
																											von
																											dem
																											Formwafer
																											21
																											befreit,
																											indem
																											der
																											Formwafer
																											21
																											nasschemisch
																											weggeätzt
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						An
																											oxide
																											layer
																											16
																											is
																											initially
																											created
																											on
																											the
																											SOI
																											wafer
																											10
																											and
																											patterned
																											(step
																											1
																											-
																											1).
																		
			
				
																						Zunächst
																											wird
																											eine
																											Oxidschicht
																											16
																											auf
																											dem
																											SOI-Wafer
																											10
																											realisiert
																											und
																											strukturiert
																											(Schritt
																											1-1).
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						It
																											is
																											of
																											course
																											also
																											possible,
																											however,
																											to
																											use
																											patterned
																											cap
																											wafers
																											or
																											even
																											cap
																											wafers
																											patterned
																											only
																											in
																											subregions,
																											the
																											patterning
																											of
																											the
																											cap
																											wafer
																											enabling,
																											for
																											example,
																											electrical
																											contacting
																											of
																											the
																											micromechanical
																											component.
																		
			
				
																						Selbstverständlich
																											können
																											jedoch
																											auch
																											strukturierte
																											Kappenwafer
																											oder
																											auch
																											nur
																											in
																											Teilbereichen
																											strukturierte
																											Kappenwafer
																											verwendet
																											werden,
																											wobei
																											durch
																											die
																											Strukturierung
																											des
																											Kappenwafers
																											beispielsweise
																											eine
																											elektrische
																											Kontaktierung
																											des
																											mikromechanischen
																											Bauelements
																											möglich
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2