Translation of "Pass transistor" in German

This pass transistor is switched by means of the element respectively assigned to it.
Dieser Pass-Transistor wird über das ihm jeweils zugeordnete Element geschaltet.
EuroPat v2
According to this refinement of the invention, then, such an element is used directly as a pass transistor.
Nach dieser Erfindungsausgestaltung wird also ein solches Element direkt als Pass-Transistor verwendet.
EuroPat v2
The pass transistor 8 is either inhibited or activated depending on the magnitude of said control voltage.
Abhängig von der Größe dieser Steuerspannung wird der Pass-Transistor 8 entweder gesperrt oder durchgeschaltet.
EuroPat v2
The current source SQ includes a series pass transistor T5, the collector of which is connected to the supply terminal having the voltage UE relative to the reference potential and the emitter of which is connected with the output terminal having the reference voltage UREF relative to the reference potential.
Die Stromquelle SQ besteht aus einem Längstransistor T5, dessen Kollektor mit der gegenüber dem Bezugspotential die Spannung U E besitzenden Versorgungsklemme und dessen Emitter mit der gegenüber dem Bezugspotential die Referenzspannung U REF besitzenden Ausgangsklemme verbunden ist.
EuroPat v2
Before any significant current can pass through the transistor T1 the large capacitor CA must be discharged by the emitter current in PNP transistor T2.
Bevor ein merklicher Strom durch den Transistor T1 fließen kann, muß die große Kapazität C A durch den Emitterstrom des PNP -Transistors T2 entladen werden.
EuroPat v2
According to a first refinement of the invention, it may be provided, then, that a pass transistor (connected into the data line) is inhibited or enabled by means of the element.
Nach einer ersten Erfindungsausgestaltung kann nun vorgesehen sein, dass über das Element ein (in die Datenleitung geschalteter) Pass-Transistor gesperrt oder freigegeben wird.
EuroPat v2
The opening or enabling of the data line is thus controlled indirectly by means of the element which switches the pass transistor connected directly into the data line.
Die Öffnung oder Freigabe der Datenleitung wird also indirekt oder mittelbar über das Element gesteuert, das den direkt in die Datenleitung geschalteten Pass-Transistor schaltet.
EuroPat v2
The current or aggregate current respectively passed via one element or for example two coupled elements is applied to the gate input of the pass transistor, preferably embodied as an MOS transistor.
Der über ein Element oder beispielsweise zwei gekoppelte Elemente geführte Strom bzw. Summenstrom wird am Gate-Eingang des vorzugsweise als MOS-Transistors ausgeführten Pass-Transistors angelegt.
EuroPat v2
In this case, only one element may be provided for actuating the pass transistor, provided that the resistance ratio, that is to say the ratio between the low switchable resistance and the high switchable resistance, is sufficiently high, so that a sufficiently high voltage ratio can be applied to the gate input for controlling the transistor.
Dabei kann zum Betätigen des Pass-Transistors lediglich ein Element vorgesehen sein, sofern das Widerstandsverhältnis, also das Verhältnis zwischen dem niedrigen schaltbaren Widerstand und dem hohen schaltbaren Widerstand hinreichend hoch ist, so dass ein hinreichend hohes Spannungsverhältnis an den Gate-Eingang zum Steuern des Transistors gelegt werden kann.
EuroPat v2
Besides the possibility of using one or more elements to control a pass transistor for enabling or for inhibiting the data line and to close or open the data line indirectly by means of the element, according to an alternative refinement of the invention, there is also the possibility of an element being connected directly into the data line and directly opening or inhibiting the latter.
Neben der Möglichkeit, über ein oder mehrere Elemente einen Pass-Transistor zur Freigabe oder zum Sperren der Datenleitung zu steuern und die Datenleitung indirekt über das Element zu schließen oder zu öffnen, besteht nach einer alternativen Erfindungsausgestaltung auch die Möglichkeit, dass ein Element unmittelbar in die Datenleitung geschaltet ist und diese direkt öffnet oder sperrt.
EuroPat v2
An EEPROM (including flash) also comprises a plurality of transistors which can be reprogrammed slowly and in a complicated manner and have poor transit times, compared with a simple pass transistor.
Auch ein EEPROM (inklusiv Flash) besteht aus mehreren Transistoren, die aufwendig und langsam reprogrammierbar sind und schlechte Laufzeiten aufweisen, verglichen mit einem einfachen Pass-Transistor.
EuroPat v2
For switching the pass transistor 8, two TMR cells 2 are provided, the resistance of which can be set by means of a configuration current which is passed via a configuration current interconnect 9 and generates a corresponding magnetic field.
Zum Schalten des Pass-Transistors 8 sind zwei TMR-Zellen 2 vorgesehen, deren Widerstand über einen über eine Konfigurierstromleiterbahn 9 geführten Konfigurierstrom, der ein entsprechendes Magnetfeld erzeugt, eingestellt werden kann.
EuroPat v2
The control voltage generated at the twin cell arrangement is passed via a corresponding connection 13 to the input 14 of the gate 15 of the pass transistor 8 .
Die an der Twin-Zellenanordnung erzeugte Steuerspannung wird über eine entsprechende Verbindung 13 auf den Eingang 14 des Gates 15 des Pass-Transistors 8 gegeben.
EuroPat v2
Source and drain currents in the source region 16 and drain region 17, respectively, of the pass transistor 8 are negligible in comparison with the configuration currents; therefore, the distance between the two TMR cells 2 and the gate 15 can be determined by the required insulation distances.
Source- und Drain-Ströme im Source-Bereich 16 bzw. Drain-Bereich 17 des Pass-Transistors 8 sind im Vergleich zu den Konfigurierströmen vernachlässigbar, daher kann der Abstand zwischen den beiden TMR-Zellen 2 und dem Gate 15 durch die notwendigen Isolationsabstände bestimmt werden.
EuroPat v2
It can then be used directly as a pass transistor, thereby further reducing the number of the required transistors for switching the data line 7 .
Sie kann dann direkt als Pass-Transistor eingesetzt werden, wodurch die Anzahl erforderlicher Transistoren zum Schalten der Datenleitung 7 weiter reduziert wird.
EuroPat v2
If the voltage drop increases by the series pass transistor, this indicates a currently higher total power consumption of the level measuring device in relation to power flowing in via the ports 118, 119 .
Erhöht sich der Spannungsabfall über dem Längstransistor, so deutet dies auf eine aktuell höhere Gesamtleistungsaufhahme des Füllstandmessgeräts in Relation zur über die Anschlüsse 118, 119 zufließenden Leistung hin.
EuroPat v2
To select the Sense FET region, gate 20 of the power FET 18 is coupled to gate 21 of the sense current section 8 of the Sense FET 1 by way of an additional FET 12 (pass transistor).
Zum Selektieren des Sense-FET-Bereichs ist Gate 20 des Power-FETs 18 über einen zusätzlichen FET 12 (Pass-Transistor) mit Gate 21 des Sense-Stromteils 8 des Sense-FETs 1 verbunden.
EuroPat v2
The dropout voltage of this regulator type is lower than that at the circuit above, because the pass transistor is driven fully into saturation by attaching a negative voltage between base (gate) and collector (drain).
Die minimale Spannungsdifferenz dieses Regeltyps ist kleiner als die der zuvor behandelten Schaltungen, da der Transistor jetzt durch eine negative Spannungsdifferenz zwischen Basis (Gate) und Kollektor (Drain) eingeschaltet wird.
ParaCrawl v7.1
Yet the electrons would not be able to pass through the transistor without another requirement being fulfilled: the distance between the quantum dot and the conducting layers must not be larger than two to three nanometers.
Und eine zweite Anforderung muss erfüllt sein, sonst können die Elektronen den Transistor nicht passieren: Der Abstand vom Quantenpunkt zu den leitfähigen Schichten darf nicht mehr als zwei bis drei Nanometer betragen.
ParaCrawl v7.1
In this second-order low-pass filter, the transistors T1, T2 are connected as a Darlington amplifier.
In diesem Tiefpassfilter zweiter Ordnung sind die Transistoren T1 und T2 als Darlington-Verstärker geschaltet.
EuroPat v2
As with discrete transistors, the substrate terminal is connected to the source connection, so there is a transistor to the parallel diode (body diode), whereby the transistor passes backwards.
Wird, wie bei diskreten Transistoren üblich, der Substratanschluss mit dem Sourceanschluss verbunden, so ergibt sich eine zum Transistor parallele Diode (Substratdiode), wodurch der Transistor rückwärts stets leitet.
Wikipedia v1.0
The integrated circuit 18 is connected to and driven by an electronic circuit 20 which includes means for presetting the operating points of the aforementioned transistors of the sensing cell array within their amplification ranges and means for measuring the amount of current passing through each transistor and deriving an electrical output signal therefrom.
Der integrierte Schaltkreis 18 ist mit einem ihm betreibenden elektronischen Schaltkreis 20 verbunden, der eine Einrichtung zum Voreinstellen der Arbeitspunkte der erwähnten Transistoren des Abtastzellenfeldes innerhalb ihrer Verstärkungsbereiche enthält, sowie eine Einrichtung zur Messung der Stromstärke oder der Größe des Stromes, die durch jeden Transistor fließt, und zur Ableitung eines elektrischen Ausgangssignals daraus.
EuroPat v2
The print current flowing at that stage consists of the partial currents passing transistors T3 and T4.
Es fliesst jetzt der Schreibstrom, der sich aus den die Transistoren T3 und T4 durchfliessenden Teilströmen zusammensetzt.
EuroPat v2
In that case, a diode is formed between the bulk region of the transistor and the source electrode or drain electrode, which gives rise to limiting effects and thus causes distortion of the signal passing through the transistor.
Es bildet sich dann zwischen dem Bulk-Gebiet des Transistors und dem Source-Anschluß oder Drain-Anschluß eine Diode, die zu Begrenzungseffekten führt und damit das den Transistor passierende Signal verzerrt.
EuroPat v2
At a time to when, e.g., driver circuit 10 is selected, the current ISEL increases to about 1 milliampere with substantially all of this current passing through PNP transistor T2 of circuit 10, since the emitter of transistor T2 is at +V volts in view of the charged large capacitor CA, whereas the voltage at the collector of the NPN transistor T1 is at +V volts minus the voltage drop in the first resistor R1.
Zum Zeitpunkt t 0, wenn z.B. die Treiberschaltung 10 ausgewählt wird, steigt der Strom I SEL auf 1 mA an, wobei nahezu der gesamte Strom durch den PNP-Transistor T2 der Schaltung 10 fließt, da der Emitter des Transistors T2 an einer Spannung von +V liegt aufgrund der großen geladenen Kapazität C A, während die Spannung am Kollektor des NPN-Transistors T1 einen Wert besitzt, der der um den Spannungsabfall an dem gemeinsamen Widerstand R 1 verringerten Spannung von +V entspricht.
EuroPat v2

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